Gå til innhold

Intel utvikler nye transistorer


Anbefalte innlegg

Videoannonse
Annonse

Jeg misstenker at vi bare har hørt halve historien her. Dvs. Det sies ingenting om hvilke bruksområder en slik transistor vil ha (i forhold til alle de andre transistortypene som brukes). 85nm virker ikke veldig bra med tanke på at de er forventet tatt i bruk innen 5 år. 50% høyere klokkefrekvens er jo litt, men ikke så veldig mye med tanke på at det er sakk om 5 års perspektiv.

 

Jeg venter bare på at noen kommer med mer utfyllende informasjon her i tråden ;)

Lenke til kommentar

Jeg kan forsikre deg, Simen1, om at vi knapt har hørt halve historien og at det som er gjenngitt på hw.no er stort sett bare faktafeil.

 

For det første er dette ikke noe som kommer om 5 år men noe som er ment å settes i produksjon i perioden 2015-2020. For det andre er dimensjonene på de viste transistorene ikke hva som vil bli brukt på produksjonstidspunktet, Intel viser bare at det er mulig å produsere InSb transistorer på samme størrelse som Si transistorer, noe som ikke er gjort før. Det er altså ikke den absolutte størrelsen som er interessant her, men den relative størrelsen i forhold til dagens masseproduserte Si transistorer. For det tredje er det ikke snakk om 10% reduksjon av effektforbruket men en 90% reduksjon, eller "redusert med 10 ganger" som det heter i Intel's pressemelding.

 

Tre "små detaljer" som sikkert setter det hele i et litt annet perspektiv. Ytelseskarakteristikken på 50% høyere frekvens og 10 ganger lavere effektforbruk er så langt jeg kan se sett i forhold til tilsvarende "avanserte Si transistorer". Altså på samme geometriske størrelse. Det er de nye materialene her som er av interesse.

 

Intel har en liten rapport om InSb transistorer her:

http://www.gaasmantech.org/Digests/2005/2005papers/14.18.pdf

 

Legger ved en tabell fra rapporten som sier litt om potensialet her:

 

Edit: ser hw.no har oppdatert artikkelen sin. flotte greier.

post-77158-1134143753_thumb.png

Endret av Anders Jensen
Lenke til kommentar
med fare for å bæsje på leggen min:

 

lav-energi bandgap er bra fordi man kan switche transistoren med lavere spenning. Dess høyere band-gap nivå, dess høyere spenning for å overvinne et "av" (eller "på", avhengig av type transistor.)

5273843[/snapback]

 

Men er det ikke problemer med energi tap der det ikke skal være det nå? Vil ikke dette problemet øke med mindre båndgap, eller er det en annen effekt?

 

AtW

Lenke til kommentar

http://en.wikipedia.org/wiki/Band_gap

 

er ikke band-gap energien den energien som trengs for at det skal lages et elektron-hull par i materialet da?

 

siden denne energien her er liten vil det lages mange elektron-hull par pga termisk energi. dette er med på å gi større ledningsevne i materialet. Større ledningsevne vil vell gi mindre resistanse slik at signalene forplanter seg raskere gjennom et system.

 

lekkstrømmen er i stor grad gitt av forhold mellom dopingen på P og N områdene, men termisk generasjon har kanskje noe å si her også... (neste fredag kan jeg antagelig mer om dette, siden jeg da har eksamen i design av IC...)

 

med dette materialet kan man lage transistorer som er mye raskere enn dagens, men når hastigheten går opp går også effektforbruktet opp, så at vi får PCer som bruker mindre effekt om 5 år er ikke sikkert, men at de er raskere per watt er det ikke tvil om (om vi skal ta den sammenlikningen). Men det er jo mange andre ting som har betydning for hastigheten til en krets, så raskere transistorer hjelper en del, men det er ikke alt.

Lenke til kommentar
har patent er vel nesten en bedre måte å si det på!

 

Tror ikke de hadde gått ut offentligt med slik innformasjon dersom de ikke allerede hadde skaffet seg det som går av patent-beskyttelse.

5274766[/snapback]

 

Det er jo lov å håpe på at noen forskere har sett på dette først, slik at det er åpen informasjon.

 

AtW

Lenke til kommentar
Tror ikke de hadde gått ut offentligt med slik innformasjon dersom de ikke allerede hadde skaffet seg det som går av patent-beskyttelse.

5274766[/snapback]

Det er ikke sikkert patent var den riktige veien å gå. I så fall vil en publisering forhindre andre fra å ta patent på det samme. Dvs. det er ikke mulig å ta patent på noe som andre har funnet opp før. Patentbyråer vil avslå et hvert forsøk på å patentere dette siden det kan dokumenteres at Intel har laget dette før dem. Hvis patentkontoret mot formodning skulle gjøre en glipp og ikke finne dokumentasjonen og feilaktig gi patent så vil Intel kunne saksøke både patentkontoret og den som får patentet.

Lenke til kommentar

Er vell ikke uvanlig at teknologiselskaper ikke søker om patent for en del ting. En patentsøknad er et offentlig dokument, samtidig som at den må inneholde en detaljert beskrivelse av hva den gjelder. Dermed kan det ofte være like greit å ikke søke om patent.

Lenke til kommentar

Snodig. Fra originalartikkelen hos Intel:

InSb is in a class of materials called III-V compound semiconductors which are in use today for a variety of discrete and small scale integrated devices such as radio-frequency amplifiers, microwave devices and semiconductor lasers.

Fra artikkelen her:

InSb blir i dag brukt i blant annet forsterkere og mikrobølgeovner.

 

Med mindre ting har endret seg dramatisk siden sist jeg arbeidet med halvledere, så brukes InSb til småsignalsforsterkere, eksempelvis på mottakersiden av en radar eller sattellittmottaker. For å lage mikrobølger med høy effekt bruker en heller magnetroner (som i mikrobølgeover av kjøkkentypen) eller vandrebølgerør (f.eks. i militært utstyr).

Lenke til kommentar

hehe artig feil. Hang meg ikke opp i den. Jeg var vel kanskje ferdig opphengt fra før av. :p Originalartikkelen var så godt som kjemisk renset for fakta.

 

InSb og serlig GaAs har vel lenge blitt brukt i (dyrt) radioutstyr der frekvensene har vært så høye at vanlig Si baserte FET transistorer ikke kunne henge med. Det er jo ikke det at dette er så veldig nytt i prinsippet, men at en har gjort utviklingssteg i retning av å kunne bruke dette til transistor logikk. Så langt jeg kan se er det foreløpig ikke kungjort noe om fremskritt angående masseproduksjonsteknikker for InSB og det er heller ikke nevnt noe om depletion mode InSb transistorer så en mangler jo en del på å ha noe brukbart.

 

På en liten tangent: Noen husker kanskje at WLAN utstyr plutselig ble mye billigere. Det var en konsekvens av at en kunne gå bort fra dyrere BJT og GaAs prosesser til fordel for billige Si MOSFET prosesser for produksjon av den analoge og den gang høyfrekvente (2,4GHz) radiodelen.

Endret av Anders Jensen
Lenke til kommentar

Det var mye en kunne kommentere, men diskusjoner om doping, interdiffusjoner og slikt blir lett for esoterisk, da kommenterer jeg heller det som ligger nærmere opp til hverdagen for flertallet, her var det mikrobølgeovnen

 

Likevel, jeg vil ikke dempe for optimismen som er ganske spesiell i bransjen. Moores lov (eller observasjon om du vil) gir denne bransjen en matematisk optimisme de færreste andre har. Det meste i databransjen vokser i et kjent tempo, og en kan med brukbar sikkerhet anslå kapasiteten for en gjennomsnittlig maskin om 4 år, akkurat i tide for f.eks. et helt nytt produkt en planlegger. I andre bransjer hadde en sett på hva en har idag, og ikke kunne se frem til trygge økninger.

 

Som du nevner i tangenten, så skjer det innimellom brå endringer også, vanligvis til det bedre. Andre eksempler er da bedre forforsterkere gjorde at en kunne krympe en parabol fra 1,5 m til 90 cm.

Lenke til kommentar

Opprett en konto eller logg inn for å kommentere

Du må være et medlem for å kunne skrive en kommentar

Opprett konto

Det er enkelt å melde seg inn for å starte en ny konto!

Start en konto

Logg inn

Har du allerede en konto? Logg inn her.

Logg inn nå
  • Hvem er aktive   0 medlemmer

    • Ingen innloggede medlemmer aktive
×
×
  • Opprett ny...