Gå til innhold

Nytt materiale kan gi 1000 ganger raskere prosessorer


Anbefalte innlegg

Videoannonse
Annonse

 

Det er bra å se at teknologien går fremover.

 

 

Ja,det blir stadig vanskeligere å krympe kretsene.

Men helt umulig kan det da ikke være?

 

Jeg har lest lenge at det nærmer seg grensen for hvor langt dem kan strekke dagens silikon teknologi.

 

Men jeg har også lest at det skal kunne la seg gjøre å nå 1nm.

Riktig nok ikke før innen 2028.

 

Greit nok at dagens artikkel handler om hva som er mulig med dagens teknologi...,men hvis den foreløpige grensen for det optensielle stoffet er per dags dato 2nm.

Et stadie som visst nok skal kunne nås med silikon rundt 2026.

Så vil jjeg si at bruksområdet for dette nye vidunder-stoffet må konsentreres rundt det å få hastigheten til å øke istedet.

 

Jeg må si at 500picosekund virker veldig lovende.

Lenke til kommentar

Det er bra å se at teknologien går fremover.

 

 

Ja,det blir stadig vanskeligere å krympe kretsene.

Men helt umulig kan det da ikke være?

 

Jeg har lest lenge at det nærmer seg grensen for hvor langt dem kan strekke dagens silikon teknologi.

 

Men jeg har også lest at det skal kunne la seg gjøre å nå 1nm.

Riktig nok ikke før innen 2028.

 

Greit nok at dagens artikkel handler om hva som er mulig med dagens teknologi...,men hvis den foreløpige grensen for det optensielle stoffet er per dags dato 2nm.

Et stadie som visst nok skal kunne nås med silikon rundt 2026.

Så vil jjeg si at bruksområdet for dette nye vidunder-stoffet må konsentreres rundt det å få hastigheten til å øke istedet.

 

Jeg må si at 500picosekund virker veldig lovende.

 

Problemet med silisium er at selv om vi kan lage transistorene mindre, bruker de like mye effekt som før. Dette gjelder for silisiumtransistorer under 100nm. Dette betyr at selv om du får plass til flere transistorer per cm^2, kan du ikke flippe flere transistorer samtidig. Altså, en silisiumbrikke produsert med 1nm vil inneholde mange flere transistorer enn en brikke produsert med 100nm, men man kan ikke "bruke" flere transistorer samtidig.

 

Dette er grunnen til at vi sier vi har nådd grensen for silisium, ikke størrelsen. Hvis du vil ha mer info, sjekk denne: http://cartesianproduct.wordpress.com/2013/04/15/the-end-of-dennard-scaling/

  • Liker 2
Lenke til kommentar

Denne vekslingen klarte forskerne å utføre på så lite som et halvt nanosekund, altså halvparten av ett milliarddels sekund,

Med dette gjennombruddet blir PCM-baserte prosessorer dermed langt mer gangbart, med anslagsvis mellom 500 og 1000 ganger høyere hastigheter enn det en gjennomsnittlig, bærbar datamaskin er i stand til i dag.

Her skjønner jeg ikke hvordan dere tenker, for 0.5ns per endring av puls resulterer i en klokkefrekvens på 1 GHz, tregere enn grunnfrekvensen på 1.066GHz til DDR4...

 

I kilden deres står det:

An alternative for increasing processing speed without increasing the number of logic devices is to increase the number of calculations which each device can perform, which is not possible using silicon, but the researchers have demonstrated that multiple calculations are possible for PCM logic/memory devices.

Da er det vel kanskje viktig å understreke at grunnlaget for "mellom 500 og 1000 ganger høyere hastigheter enn det en gjennomsnittlig, bærbar datamaskin er i stand til i dag." er basert på en helt annen type datamaskin enn vi har i dag.

Lenke til kommentar

 

 

.. som de brukte til å veksle mellom ledende og isolerende egenskaper ved å smelte og rekrystallisere stoffet

 

Kjenner at jeg ble noe skeptisk med en gang jeg leste det der. For ikke å snakke om rekrystallisere, som vel ikke skjer før det er nedkjølt, eller hva?

 

Dere kunne med fordel ha utdypt hvordan de har tenkt seg at dette foregår på 2 nanometer.

Endret av G
Lenke til kommentar
Gjest Slettet-RnjNn5NbHl

Det er bra å se at teknologien går fremover.

 

 

Ja,det blir stadig vanskeligere å krympe kretsene.

Men helt umulig kan det da ikke være?

 

Jeg har lest lenge at det nærmer seg grensen for hvor langt dem kan strekke dagens silikon teknologi.

 

Men jeg har også lest at det skal kunne la seg gjøre å nå 1nm.

Riktig nok ikke før innen 2028.

 

Greit nok at dagens artikkel handler om hva som er mulig med dagens teknologi...,men hvis den foreløpige grensen for det optensielle stoffet er per dags dato 2nm.

Et stadie som visst nok skal kunne nås med silikon rundt 2026.

Så vil jjeg si at bruksområdet for dette nye vidunder-stoffet må konsentreres rundt det å få hastigheten til å øke istedet.

 

Jeg må si at 500picosekund virker veldig lovende.

 

en av grunnene er at det er dyrt og får ikke så store fordeler av å forminske det i forhold til andre stoffer

Lenke til kommentar

Kommer det ikke en artikkel som dette en gang i året ca ? Samme som at det kommer en artikkel om banebrytende batteriteknologi en gang i året.

Regner med at vi aldri ser noe til dette heller.

 

Jo, det gjør det. Gjerne oftere og. Men som det skrives om i oppsummeringen også: Mye arbeid gjenstår, men det er da hyggelig å høre om framskritt som blir gjort?

 

Du kan også legge til store framskritt medisinsk, rekorder for dataoverføring blir stadig brutt og at menneskelig transport skal revolusjoneres. Mye er delvis spådom, men det forskes masse. Og det er vi glade for :D

Lenke til kommentar

 

 

Det er bra å se at teknologien går fremover.

 

 

Ja,det blir stadig vanskeligere å krympe kretsene.

Men helt umulig kan det da ikke være?

 

Jeg har lest lenge at det nærmer seg grensen for hvor langt dem kan strekke dagens silikon teknologi.

 

Men jeg har også lest at det skal kunne la seg gjøre å nå 1nm.

Riktig nok ikke før innen 2028.

 

Greit nok at dagens artikkel handler om hva som er mulig med dagens teknologi...,men hvis den foreløpige grensen for det optensielle stoffet er per dags dato 2nm.

Et stadie som visst nok skal kunne nås med silikon rundt 2026.

Så vil jjeg si at bruksområdet for dette nye vidunder-stoffet må konsentreres rundt det å få hastigheten til å øke istedet.

 

Jeg må si at 500picosekund virker veldig lovende.

 

 

Problemet med silisium er at selv om vi kan lage transistorene mindre, bruker de like mye effekt som før. Dette gjelder for silisiumtransistorer under 100nm. Dette betyr at selv om du får plass til flere transistorer per cm^2, kan du ikke flippe flere transistorer samtidig. Altså, en silisiumbrikke produsert med 1nm vil inneholde mange flere transistorer enn en brikke produsert med 100nm, men man kan ikke "bruke" flere transistorer samtidig.

 

Dette er grunnen til at vi sier vi har nådd grensen for silisium, ikke størrelsen. Hvis du vil ha mer info, sjekk denne:

 

http://cartesianproduct.wordpress.com/2013/04/15/the-end-of-dennard-scaling/

 

Aahhh...,I see...

 

Takk for oppklaringen.

Lenke til kommentar

Et annet problem når det kommer til å presse inn flere transistorer er at på et eller annet punkt vil kvantemekanikk slå inn, fordi avstandene blir for små. Da blir det umulig å unngå strømleksasjer mellom de ulike transistorene - da elektronene ikke har en definert posisjon når man er på dette detaljnivået.

Lenke til kommentar

Opprett en konto eller logg inn for å kommentere

Du må være et medlem for å kunne skrive en kommentar

Opprett konto

Det er enkelt å melde seg inn for å starte en ny konto!

Start en konto

Logg inn

Har du allerede en konto? Logg inn her.

Logg inn nå
  • Hvem er aktive   0 medlemmer

    • Ingen innloggede medlemmer aktive
×
×
  • Opprett ny...