Gå til innhold

Forskere har laget databrikke med nanorør


Anbefalte innlegg

Videoannonse
Annonse
Dette er i samme størrelsesorden som dagens prosessorer, men de nye nanorør-transistorene skal være fem ganger raskere enn dagens silisiumprodukter.

Hva vil det si at de er fem ganger raskere enn silisium? Går det i teoretisk oppnåelig frekvens?

 

I tillegg skal det lede strøm 30 ganger raskere enn silisium.

Elektroner i silisium har allerede ei hastighet på ~0.9c, dvs. omtrent 90% av lysets hastighet i vakum. At de, bare ved å skifte leder, plutselig beveger seg 30 ganger raskere (= 27c), er rett og slett ikke mulig.

  • Liker 3
Lenke til kommentar
Dette er i samme størrelsesorden som dagens prosessorer, men de nye nanorør-transistorene skal være fem ganger raskere enn dagens silisiumprodukter.
Hva vil det si at de er fem ganger raskere enn silisium? Går det i teoretisk oppnåelig frekvens?
I tillegg skal det lede strøm 30 ganger raskere enn silisium.
Elektroner i silisium har allerede ei hastighet på ~0.9c, dvs. omtrent 90% av lysets hastighet i vakum. At de, bare ved å skifte leder, plutselig beveger seg 30 ganger raskere (= 27c), er rett og slett ikke mulig.

 

Vis du vet du du prater om, så kanskje de ment 30 anger mindre effekt tap eller noe??

Lenke til kommentar

Vis du vet du du prater om, så kanskje de ment 30 anger mindre effekt tap eller noe??

Gir fortsatt ingen mening. Man kan ikke gange en verdi n>0, og forvente å få en sum som er *mindre* enn den opprinnelige verdien. "30 ganger mindre enn [...]" betyr altså ingenting, da må man heller si "en tredevtedel av [...]".

 

Ikke at Nilsens oversettelse om elektronenes hastighet overhodet hadde gitt noen mening, om det var økt effektivisering/redusert varmetap som var temaet.

Lenke til kommentar

OK, trur jeg skjønner hva du mener, selv om jeg dessverre ikke har peiling på elektro :(

Det høres ut som du har peiling på både elektro og materialer, hva mener du om silisium, grafen og nanorør? Hvorfor har de ikke begynt å masseprodusere dem, når de bare forer oss med "FiCTiON" i snart 10-år?? Hva er fordeler/ulemper med de materialene??

Lenke til kommentar

OK, trur jeg skjønner hva du mener, selv om jeg dessverre ikke har peiling på elektro :(Det høres ut som du har peiling på både elektro og materialer, hva mener du om silisium, grafen og nanorør? Hvorfor har de ikke begynt å masseprodusere dem, når de bare forer oss med "FiCTiON" i snart 10-år?? Hva er fordeler/ulemper med de materialene??

 

Tja, hadde for så vidt vært mulig å lage en prosessorlignende ting med noen av disse stoffene. Problemet er at det er så vanskelig og dyrt at ingen med vett ville gjort det frem til vi finner billigere og mer effektive "design".

Lenke til kommentar

Noen småfeil som gjerne kan rettes på :

1 : Forskere fra IBM, ved Watson Research Center i New York, har før første : for

2 : på et område som er forventet at vil ta over for de tradisjonelle silisiumbrikkene : at det vil ta over for / å ta over for

 

 

Blir spennende å se hvordan nanorør vil gjøre det i fremtiden , det er i alle fall en teknologi som kan brukes til svært mye.

Endret av Malvado
Lenke til kommentar
I tillegg skal det lede strøm 30 ganger raskere enn silisium.

Elektroner i silisium har allerede ei hastighet på ~0.9c, dvs. omtrent 90% av lysets hastighet i vakum. At de, bare ved å skifte leder, plutselig beveger seg 30 ganger raskere (= 27c), er rett og slett ikke mulig.

 

Tipper det er dette han mener:

"The potential of carbon nanotubes was demonstrated in 2003 when room-temperature ballistic transistors with ohmic metal contacts and high-k gate dielectric were reported, showing 20–30x higher ON current than state-of-the-art Si MOSFETs."

 

Som betyr, om jeg ikke er helt på bærtur, opp til 30 ganger mer strøm, ikke 30 ganger raskere.

Endret av Kron
  • Liker 4
Lenke til kommentar
I tillegg skal det lede strøm 30 ganger raskere enn silisium.
Elektroner i silisium har allerede ei hastighet på ~0.9c, dvs. omtrent 90% av lysets hastighet i vakum. At de, bare ved å skifte leder, plutselig beveger seg 30 ganger raskere (= 27c), er rett og slett ikke mulig.

 

Det stemmer ikke helt det du sier angående hastighet.

 

Det er en vesentlig forskjell mellom elektronenes hastighet og signalets hastighet i en elektrisk leder. Husk at elektriske signaler forplanter seg som bølger/pulser gjennom en rekke elektroner, ikke ulikt hvordan lyd forplanter seg i luft. Det er disse signalene som beveger seg i tilnærmet lyshastighet.

 

Selve elektronene beveger seg likevel svært sakte, avhengig av strøm og leder. F.eks. vil elektronene i en 5 A strøm gjennom kobber bare bevege seg 0.1 mm/sek!

 

Nå kan det jo hende at det er denne hastigheten de tenker på. Men uansett så har ikke denne hastigheten særlig betydning i forhold til signaler... Så jeg er enig med deg i at det er et litt rart utsagn i forhold til resten av artikkelen.

  • Liker 1
Lenke til kommentar
Dette er i samme størrelsesorden som dagens prosessorer, men de nye nanorør-transistorene skal være fem ganger raskere enn dagens silisiumprodukter.
Hva vil det si at de er fem ganger raskere enn silisium? Går det i teoretisk oppnåelig frekvens?

 

Endring av tilstand i nanorør-transistorer går 5 ganger så fort som i silisiumbaserte transistorer. Teoretisk oppnåelig frekvens, ja.

 

 

  • Liker 1
Lenke til kommentar
Forskningen viser at man kan klemme inn en hel milliard transistorer på bare én kvadrattomme med den nye teknikken.
Hva er revolusjonerende med det?Dagens chip'er er oppe i over 2,5 milliarder allerede... og de er vel ikke så store som en kvadrattomme....Her må det ha gått i surr med noen tall...
Det stemmer at de har over 2,5 milliarder transistorer, men den minste av de (Six-Core Core i7 (Sandy Bridge-E) på 434 mm²) har faktisk en størrelse på 170 %, i forhold til en kvadrattomme.Med et areal på 434 mm², vil sidene være på ca 2,08 cm (gitt at brikken er kvadratisk). En brikke med areal på én kvadrattomme (dvs 254 mm²), vil ha sider på ca 159 mm².Så det er nok dessverre du som har surret med tallene denne gangen... ;-)

 

En kvadrattomme er vel 25.4mm * 25.4mm = 645.16mm2.

  • Liker 1
Lenke til kommentar
Det stemmer at de har over 2,5 milliarder transistorer, men den minste av de (Six-Core Core i7 (Sandy Bridge-E) på 434 mm²) har faktisk en størrelse på 170 %, i forhold til en kvadrattomme.

Med et areal på 434 mm², vil sidene være på ca 2,08 cm (gitt at brikken er kvadratisk). En brikke med areal på én kvadrattomme (dvs 254 mm²), vil ha sider på ca 159 mm².

Så det er nok dessverre du som har surret med tallene denne gangen... ;-)

Viktig å holde tunga rett i munnen når du driver med matte...

 

Det er du som er på bærtur ;)

 

En kvadrattomme er ikke 254 mm^2.

 

En kvadrattomme er 25,4mm*25,4mm = 645,16 mm^2

 

Intel's 10-Core Xeon Westmere-EX har 2.6 milliarder transistorer på 512mm^2, dvs ca.79% av arealet til en kvadrattomme...

 

Edit: Forresten, hvordan kan noe ha sider på 159mm^2? En kvadrattomme er et kvadrat med sider på en tomme, eller 25,4mm :p

Endret av Visjoner
  • Liker 1
Lenke til kommentar

For å komme litt videre og til bunns i dette. Kildeartikkelen hos extremetech.com nevner følgende

 

With a density of one billion transistors per square centimeter

 

square centimeter ikke inch :p

 

Det er derfor snakk om en mye høyere transistor-tetthet, nemlig 1 milliard per 100mm^2, eller 5 milliarder på 500mm^2, eller nesten dobbelt så tett som en 32nm "10-Core Xeon Westmere-EX"

 

Da begynner dette å bli imponerende :)

Endret av Visjoner
  • Liker 2
Lenke til kommentar
Dette er i samme størrelsesorden som dagens prosessorer, men de nye nanorør-transistorene skal være fem ganger raskere enn dagens silisiumprodukter.
Hva vil det si at de er fem ganger raskere enn silisium? Går det i teoretisk oppnåelig frekvens?
I tillegg skal det lede strøm 30 ganger raskere enn silisium.
Elektroner i silisium har allerede ei hastighet på ~0.9c, dvs. omtrent 90% av lysets hastighet i vakum. At de, bare ved å skifte leder, plutselig beveger seg 30 ganger raskere (= 27c), er rett og slett ikke mulig.

 

In semiconductors, a different measure, mobility, is used to quantify how fast electrons move. The limit to mobility of electrons in graphene is set by thermal vibration of the atoms and is about 200,000 cm2/Vs at room temperature, compared to about 1,400 cm2/Vs in silicon, and 77,000 cm2/Vs in indium antimonide, the highest mobility conventional semiconductor known.

http://www.sciencedaily.com/releases/2008/03/080324094514.htm

 

Lenke til kommentar

Opprett en konto eller logg inn for å kommentere

Du må være et medlem for å kunne skrive en kommentar

Opprett konto

Det er enkelt å melde seg inn for å starte en ny konto!

Start en konto

Logg inn

Har du allerede en konto? Logg inn her.

Logg inn nå
  • Hvem er aktive   0 medlemmer

    • Ingen innloggede medlemmer aktive
×
×
  • Opprett ny...