Gå til innhold

Infineon og IBM utvikler ny minneteknologi


Anbefalte innlegg

Skrevet

Infineon og IBM har satt i gang et nytt prosjekt for å utforske en ny minneteknologi i form av "phase change". Tidsperspektivet for å bringe dette til det kommersielle markedet er satt til 10-20 år.Les mer

Videoannonse
Annonse
Skrevet
"Phase change"-minne bruker en teknikk som endrer struktur på materialet ved rask oppvarming. Forskjellig type refleksjon gir enten 0 eller 1.

Hehe.. Og hvis mediet roterer, daa må man si at noen ikke har fulgt med. :whistle:

Skrevet

Det er litt rart at IBM ikke samarbeider med rambus som levere minne til Cell arkitekturen og de som her den beste teknologien såfall.

 

Vet ikke om dette er offtopic, men jeg må si at det var en posetivt god artikkel her i HW / HWB. Han som skriver de artikklene som er god over gjennomsniettet artikler på hw fortjener en bamsemums.

Skrevet

Det var merkelig med denne "spintronics" teknologien. Dette må vi få forklart etterhvert. Er det ikke sånn at et elektron går raskere med høyere temperatur, og selve spin'et rundt atomkjernen vil være helt tilfeldig. Det vil si at hvis du dreier omdreiningsaksen for et elektron i hvilken som helst retning så vil du til slutt ende opp med et elektron som farer av sted i motsatt retning (uten at du stopper det opp). Bare prøv å forstill deg at du vrir rundt på banen så ser du det nok du også.

 

Lurer altså på, hva det kan være forskerne tenker om "spintronics" (hvordan fungerer prinsippet).

Opprett en konto eller logg inn for å kommentere

Du må være et medlem for å kunne skrive en kommentar

Opprett konto

Det er enkelt å melde seg inn for å starte en ny konto!

Start en konto

Logg inn

Har du allerede en konto? Logg inn her.

Logg inn nå
×
×
  • Opprett ny...