Knøttliten og rask lagringsløsning fra Samsung

[ExcaliBuR]

 

BGA minne ble vel brukt i 2001 på ATis Radeon 8500 serie, så dette er en veldig gammel "teknologi" (i dataverdenen ihvertfall).

 

Intel startet vel med dette i P6 dagene også ('98 ish?)?

Som det står i artikkelen er jo dette mer en fysisk spesifikasjon. Slik BGA minne kan jo komme i forskjellige størrelser osv. Det nye her er jo minne som følger disse spesifikasjonen, som og følger en liten form og tilbyr mye lagringsplass.

 

Som du sier så er jo BGA i seg selv langt ifra noe nytt og har vært benyttet lenge. Det nye her er alt som ikke handler om BGA

 

Artikkelen føler jeg vinkler det hele til at dette er en "ny" og revolusjonerende måte... Når det står i ingressen:

 

 

Elektronikkprodusenten omfavner ny formfaktor.

[TKongen]

 Prisen er nok ganske heftig ja.

 

SSD prisene har jo falt ganske så mye , de siste åra.

Nå som Micron har demonstrert at de klarer å lage 3D NAND med ca 50 % større tetthet enn hva Samsung klarer, kan man nok vente en  ytterligere prisreduksjon.

Spørs om det stemmer for kommersielle produkter de lanserer også da. Hjelper og lite om det er 50% bedre, og den kommer om 2 år liksom. Jeg vet at mange av produsentene ikke er så langt bak som det kan virke som. De planlegger jo å hoppe rett til 48 layer. Noe Samsung har nå. Det er vel Toshiba/SanDisk som planlegger det. Ifølge Anandtech så kommer jo Micron med 32 layer:

http://www.anandtech.com/show/10028/micron-3d-nand-status-update

 

 

Samsung bruker 256Gb dies for både MLC og TLC. Micron har tenkt å bruke 256 for MLC og 384 for TLC. Altså der 50% kommer fra.

 

Når Samsung kommer med nye størrelser er de ofte tilgjengelig i både MLC og TLC. Consumer versjonene finnes jo i det når de kommer med nye størrelser. Samsung bruker jo samme størrelse for MLC og TLC også. Så er det det at Micron klarer 50% mer for TLC dies, eller at Samsung enda ikke har sett noe behov for å ta i bruk dies av den størrelsen? Det er jo rimelig usannsynlig at Samsungs TLC ikke  får plass til mer lagring på samme plass enn MLC, mens Micron klarer det. TLC er jo ikke akkurat noe som er spesielt for noen produsenter. Det er bare grunnleggende å lagre 3 bits per celle.

 

Nå bruker Micron litt forskjellig teknologi fra resten. Resten er på Charge Trap Flash, men det gjør størrelsene på cellene enda mindre. Det kan være Micron kommer med mindre produksjonsteknikk. Vet ikke hva Samsung er på nå, men de gikk jo opp til 30 nm, og hadde fortsatt bedre density enn de som lå rundt 14 nm.

 

Med tanke på at Samsung har vist en rekke nye produkter på Japan messen som alle har økt kapasitet, uten økning i størrelse. Seres M.2 PCIe serie har jo fått en 1 TB variant. Opp fra 512 GB. Det er jo en 100% økning. Så hvis Samsung nå har flere layers, bedre produksjonsteknikk og utnytter TLC cellene sine bedre, har Micron et 50% overtak? Jeg tviler. Jeg tror ikke det er tilfeldig at alle disse produktene med høyere kapasitet kommer fra Samsung fra nå av. Det kommer da altså å komme omtrent samtidig, muligens litt før Toshiba, Micron (og SK Hynix?) får sin 3D NAND ut i butikkene.

 

For ikke å snakke om estimatene for produksjon. Selv om Micron f.eks har bra 3D NAND har de ikke fabrikkkapasitet til å lage mye uansett. Samsung vet godt hvor mye de selger osv og har kapasitet til det som selges.

 

 

Toshiba sa og for ikke så lenge siden at 3D NAND akkurat nå ikke var noe veldig forskjellig i pris å produsere kontra planar NAND. De hadde ingen planer om å stoppe med planar med det første, da de synes planar fungerte veldig bra fortsatt (noe det gjør).

 

 

Blir ellers spennende å se om TLC SSDer med 3D NAND fra Toshiba/Micron kommer til å få et stort løft i ytelse pga det, ellers om Samsungs ledelse utelukkende er pga kontroller. Sannsynligvis begge deler. Likevel, om vi får en grei forbedring, så vil de jo si at selv billige SSDer begynner å bli ganske så gode. Du vil ikke tjene mye for å gå for noe annet, så lenge SATA brukes. Det er nok det beste for prisen. De som er dårlige nå vil bli ytelsesmessig like bra som SSDer over dem i prisklasse. Kan f.eks Samsung forsvare prisforskjellen de har til billige TLC SSDer nå, om de kommer nærmere i ytelse? Jeg tviler på det. Kan godt være de selger til samme pris uansett da Men da er det jo bare å kjøpe noe annet, mer fornuftig.

[TKongen]

 

 

BGA minne ble vel brukt i 2001 på ATis Radeon 8500 serie, så dette er en veldig gammel "teknologi" (i dataverdenen ihvertfall).

 

Intel startet vel med dette i P6 dagene også ('98 ish?)?

Som det står i artikkelen er jo dette mer en fysisk spesifikasjon. Slik BGA minne kan jo komme i forskjellige størrelser osv. Det nye her er jo minne som følger disse spesifikasjonen, som og følger en liten form og tilbyr mye lagringsplass.

 

Som du sier så er jo BGA i seg selv langt ifra noe nytt og har vært benyttet lenge. Det nye her er alt som ikke handler om BGA

 

Artikkelen føler jeg vinkler det hele til at dette er en "ny" og revolusjonerende måte... Når det står i ingressen:

 

 

Elektronikkprodusenten omfavner ny formfaktor.

 

Ja, ser den. Du har vel egentlig rett i det. Det er jo på ingen måte formfaktoren som er nytt her. Helt ærlig så vet vi ikke enda hva som er nytt engang Så mye info har ikke Samsung gitt.

[johome]

 

Samsung bruker 256Gb dies for både MLC og TLC. Micron har tenkt å bruke 256 for MLC og 384 for TLC. Altså der 50% kommer fra.

 

Det er nok sannsynligvis der det ligger ja.

 

 

 

At last year's ISSCC, Samsung white papers indicated that its 3D NAND flash products had reached 1.19Tbits per square inch (Tbpsi) and said in 2016 they would reach 1.69Tbpsi.

This year, Micron revealed it had demonstrated areal densities in its laboratories of up to 2.77Tbpsi for its 3D NAND. That compares with the densest HDDs of about 1.3Tbpsi

Kilde

 

 

 

 

 

 

Blir ellers spennende å se om TLC SSDer med 3D NAND fra Toshiba/Micron kommer til å få et stort løft i ytelse pga det, ellers om Samsungs ledelse utelukkende er pga kontroller.

Tror nok at kontroller har mye å si ja.

 

Microns har faktisk en del å bevise innenfor TLC baserte SSD'er.

BX200 som kommer med planar TLC NAND , er regnet for å være en svak SSD , og har nærmest blitt slaktet i diverse tester. Den er nok mange klasser svakere enn 850 Evo.

[TKongen]

Samtidig er jo ikke NAND density alt heller. Si at du putter en die med høy tetthet og får bra kapasitet med det. Da har du jo ingen parallellisering. Det å bruke 1 die for 128 GB SSDer kan bli mulig, men 128 GB SSDer sliter nok med ytelse som følge av få NAND dies som det er.

 

Samtidig har og annen logikk noe å si. Samsung lanserte jo for litt tilbake siden en SSD som heter 750. Der har de kuttet i CPU kjerner, RAM ol. Den støtter heller ikke høye kapasiteter. Samtidig klarer de å holde ganske bra ytelse på den. Andre 3. parts produsenter har jo og planer om kontrollere uten RAM, som skal bruke systemets RAM istedenfor.

 

Hvis det Samsung viser her stemmer så er det jo ikke bare mye NAND på liten plass. Det er og veldig raskt. De har jo og kommet med navn på en rekke nye kontrollere her. Det er jo ulempen for Toshiba/Micron/SK Hynix. Toshiba har jo f.eks ganske bra TLC NAND nå virker det som. Selv om den er planar. Likevel mangler de mye på utnyttelsen. Samsung har kontroll på både grensene for kontroller og NAND, som gir dem mye mer frihet og fordeler sammenlignet med de andre. De får utnyttet det de lager langt bedre.

 

Samtidig viser jo 1500 MB/s read og 600 MB/s write at de mangler en del fra kontroller eller noe annet på å eliminere svakheten for write speeds på TLC. Noe 3. part produsenter nå nylig har klart å få orden på på vanlige SATA SSDer, slik som den du viste i forrige diskusjon med klart bedre write performance. Selv om NANDen i seg selv støtter at en del brukes som SLC og ikke TLC som cache, er det nok andre begrensninger pga størrelse som gjør at de ikke får brukt dette skikkelig. Det tok tross alt en stund fra Samsung lanserte sin TurboWrite til andre fikk til det samme for TLC SSDer. Hadde Samsung en fordel her? Ja, de hadde jo det. Det er ikke slik at de i seg selv er så mye flinkere, de gjør bare alt selv, istedenfor outsourcing. Tydelig bevis på hvor bra outsourcing og fokus på kjerneområdene for bedriften er.... Det er jo heller ingen overraskelse at det er Intel sin SSD som er den som konkurrerer med Samsung på hastighet. (Intel/Micron har veldig tett samarbeid for de som lurte).

[johome]

Samtidig er jo ikke NAND density alt heller. Si at du putter en die med høy tetthet og får bra kapasitet med det. Da har du jo ingen parallellisering. Det å bruke 1 die for 128 GB SSDer kan bli mulig, men 128 GB SSDer sliter nok med ytelse som følge av få NAND dies som det er.

 

 

Det har jeg også forstått at manglede parallellisering gir dårligere ytelse.

Det er først og fremst sekvensiell skriveytelse som taper på det.

Random ytelse taper ikke så mye , mens sekvensiell les er bortimot upåvirket.

 

Jo større kapasiten er på SSD'en jo mindre taper ytelsen på det.

 

SM951 som kom ifjor med 64Gb die NAND, kunne kjøpes fra 128 GB  og opptil 512GB.

950 Pro med 128 Gb die NAND , kom kun med kapasitet 256 og 512 GB.

En 128 GB versjon ville ha hatt en elendig skriveytelse vs 128 GB versjonen av SM951

512 GB versjonen av begge to har tilnærmet lik ytelse.

 

 

 

 

 

Når du først nevner heftig ytelse så tror jeg at Samsung bare skal passe seg i tiden som kommer.

Det er ikke så lenge til Intel lanserer 3D Xpoint ( som en del spekulerer i  egentlig er PCM )

3D Xpoint har en random ytelse ved lave QD verdier på opptil 5-7 ganger SSD'er med  tradisjonell NAND ( Intel P3700 )

 

De kommer garantert til å spise opp store deler av Enterprise markedet.

Hvis prisen ikke er helt spinnvill , kommer entusiastene også til å kaste seg over dette.

Endret 30. mars 2016 av johome

[TKongen]

Siden Samsung sine raske SSDer kom i såpass lav størrelse var det nok derfor de valgte liten die size, for å kunne parallellisere mer. Det gir jo sånn sett mening at dette skal hjelpe. Det å skrive til mange blokker samtidig og spre informasjonen utover burde jo naturlig nok gå raskere enn å bare skrive til en blokk. Så lenge kontrolleren kan håndtere det og holde kontroll over alt selvfølgelig.

 

Ja, Micron/Intel sin Xpoint vil jo klart være raskere. Suksessen vil bare avhenge av pris og om folk er klar til å utnytte denne hastighet effektivt nok til at det sannsynligvis høyere prisen blir verdt det.

 

Samsung kom jo ellers med deres nye SSDer og SM961 og PM 961 om jeg husker rett. 3200 Mb/s read og opptil 1 TB.  De begynner faktisk å nærme seg grensen for hva PCIe over 4 lanes klarer.

 

Da vil de jo hvertfall ikke klare utfordre Xpoint på ytelse med vanlig NAND. Da må man få SSDer over på 8 lanes, eller vente til neste gen PCIe. Blir hvertfall spennende å se når Xpoint kommer. Lurer og på om de andre (Toshiba/Samsung/SK Hynix) jobber med lik teknologi, eller om de går for andre ting. Innen VRAM har jo Micron gått for GDDR5X, mens både Samsung og SK Hynix gikk for HBM2.

[G]

 

 

Et rutenett av små strømførende halvkuler som tar seg av kommunikasjonen. 

 @artikkelskribenten:

 

Jeg tviler på at de er særlig halvkuleformet etter en tur i "stekeovnen" der loddepunktene smeltes på plass.

[TKongen]

 

 

 

Et rutenett av små strømførende halvkuler som tar seg av kommunikasjonen. 

 @artikkelskribenten:

 

Jeg tviler på at de er særlig halvkuleformet etter en tur i "stekeovnen" der loddepunktene smeltes på plass.

 

Jeg tror ikke jeg ville lagt mine dyrebare chipper i en smelteovn