Gå til innhold

Kan jeg erstatte transistor med kondensator + motstander hvis jevnlig oppdatert som DRAM?


Anbefalte innlegg

Videoannonse
Annonse

Til hva da? Jeg tror du må presisere hva du prøver på.

Lage logisk krets med kun spole, motstander, og kondensator. Jeg har lært at ved motstanden blir strøm utvannet langsomt i kondensator etter motstanderstørrelse. Så hvis jeg oppdaterer kretsen jevnlig så kan kondensatoren oppbevare en strømstørrelse bevart som av eller på så hvis strøm er påført mer enn bunnen så er den liksom på. Er det god nok forklaring hva jeg tenker?

Lenke til kommentar

Så du lurer på om du kan erstatte transistor med et RC-ledd for logiske kretser, slik jeg forstår det.

 

La meg forsøke å svare på spørsmålet ditt, selv om jeg ikke er helt stødig i emnet. Prinsippet med DRAM kan erstatte 4 transistorer med 1 transistor og en kondensator, men prinsippet med DRAM kan kun fungere som ei minnecelle, ikke som logikk, da det i praksis bare handler om å slå på en transistor for å fylle opp kodensatoren eller tømme/lese den.

 

Slik ser ei DRAM-celle ut:

 

 

dynamic-RAM-cell.jpg

 

 

 

I motsetning til ei SRAM-celle som faktisk er en logisk flip-flop latch:

 

4T_SRAM_Cell.png

 

 

Først og fremst så slipper du ikke unna transistorer i DRAM heller, og for det andre så er det ingen logikk i denne DRAM cellen, kun en state (ladning) som enten er der eller ikke.

 

Forstod jeg spørsmålet riktig?

Lenke til kommentar

Så du lurer på om du kan erstatte transistor med et RC-ledd for logiske kretser, slik jeg forstår det.

 

La meg forsøke å svare på spørsmålet ditt, selv om jeg ikke er helt stødig i emnet. Prinsippet med DRAM kan erstatte 4 transistorer med 1 transistor og en kondensator, men prinsippet med DRAM kan kun fungere som ei minnecelle, ikke som logikk, da det i praksis bare handler om å slå på en transistor for å fylle opp kodensatoren eller tømme/lese den.

 

Slik ser ei DRAM-celle ut:

 

 

I motsetning til ei SRAM-celle som faktisk er en logisk flip-flop latch:

 

4T_SRAM_Cell.png

 

 

Først og fremst så slipper du ikke unna transistorer i DRAM heller, og for det andre så er det ingen logikk i denne DRAM cellen, kun en state (ladning) som enten er der eller ikke.

 

Forstod jeg spørsmålet riktig?

OK, lest.

Lenke til kommentar

Det forstod jeg ikke mye av. Kan du utdype?

Altså denne overflow flaggbit som er i flaggregister, er den virkelig nødvendig?

Jeg tror i teorien at ved overflow og underflow blir programmene vanskeligere å finne feil fordi hver overflow blir detektert så må hele programvaren analysere i dypere lag enn vanlig løkke uten overflow sånn at datamaskin vet at det er bare mulig å ha 7 verdier inkludert carry for å skru 8. bit av eller på. Hva gjør hardware egentlig når overflot bit er detektert? Jeg vet at det muliggjør løkke av slice og skjerm unngå plutselig endring i lyskilde. Jeg tenkte å bytte ut underflow og overflow flaggbit med minnadresse til register til annen minneadresse.

 

Edit: Bare glem det.

Endret av Kondensator2021
Lenke til kommentar

Opprett en konto eller logg inn for å kommentere

Du må være et medlem for å kunne skrive en kommentar

Opprett konto

Det er enkelt å melde seg inn for å starte en ny konto!

Start en konto

Logg inn

Har du allerede en konto? Logg inn her.

Logg inn nå
  • Hvem er aktive   0 medlemmer

    • Ingen innloggede medlemmer aktive
×
×
  • Opprett ny...