Gå til innhold

AMD K9 kommer i 2005


Anbefalte innlegg

Videoannonse
Annonse
Det eneste man kan spekulere i er hvorvidt det vil være en hybrid-prosessor eller et "rent" 64-bits system.

Det tror jeg ikke man skal frykte så mye. Det ville i så fall stride totalt mot AMD's nåværende strategi: bakover-kompatibilitet. Det er nemlig ikke så enkelt som å kutte ut 32-bits støtten.

 

I 2005 vil det også dukke opp 0,09-mikrons Opteron-prosessorer (K8) med dual-kjerne.

Jepp, dual-kjerne er genialt når det gjelder Opteron, men jeg tviler på at det skjer før 0,065-mikron, fordi en 0,09-mikron dual-kjerne vil bli alt for stor og dermed få lav yield og bli veldig dyr å produsere. I beste fall kan vi håpe på noen få dyre dual Opteroner på 0,09-mikron før en billigere modell på 0,065-mikron kommer.

Lenke til kommentar
Frykter at de sliter med koaksiale problemer, og at arkitekturen må justeres før de kan gå ned i størelse. Marginene er små nå i minst dobbbel forstand... :roll:

 

Javel? Kan du utdype litt?

Oiii....... et stort emne med mange komponenter, men prøver litt om kondensator-delen; en kondensator på en vekselstrømledning leder strøm. Høgere frekvens, mer strøm. Til nærmere platene i kondensatoren ligger, mer strøm. Når frekvensen blir høg nok behøver man ikke plater, men det er nok at to ledere ligger nær hverandre. I en prosessor blir flere titals millioner ledere liggende nær hverandre og man får en uønsket lekasje som danner varme. (Strømmer på avveie kan også påvirke transistorene i prosessen).

Problemet har vært kjennt i lang tid, og før eller senere vil det stoppe teknologi med elektroner.

Forsår det også slik at Intel nå ved overgang til 0.09-mikron har møtt en bariere. Da tror jeg andre også får problemer.

Jeg går ut fra at man m.a. flytter på de mest sensetive delene i prosessoren for å komme videre.

Lenke til kommentar
Mener du transistorer?

SOI skal i utganspunktet hindre at de får de samme lekasjeproblemene som intel har med 90µm produksjonen sin.

Nei, jeg snakker om et elektrisk felt (eller ladning)mellom de positive og negative komponentene i prosessoren. Dette er ikke en elekrtonvandring gjennom en isolator (dielektrikum). Når feltet pulserer med høy frekvens virker "hele prosessoren" som en kondensator.

SOI har jeg forstått som en isolator mot OHMsk elekrtonvandring og/eller varmespreder.

Lenke til kommentar
Mener du transistorer?

SOI skal i utganspunktet hindre at de får de samme lekasjeproblemene som intel har med 90µm produksjonen sin.

Nei, jeg snakker om et elektrisk felt (eller ladning)mellom de positive og negative komponentene i prosessoren. Dette er ikke en elekrtonvandring gjennom en isolator (dielektrikum). Når feltet pulserer med høy frekvens virker "hele prosessoren" som en kondensator.

SOI har jeg forstått som en isolator mot OHMsk elekrtonvandring og/eller varmespreder.

Høres riktig ut. Det som skal hindre kapasitiv lekasje (kondensator-effekten) er vel isolasjonsmaterialer basert på bedre dielektrikum. (low-k dielektric materials)

Lenke til kommentar

Opprett en konto eller logg inn for å kommentere

Du må være et medlem for å kunne skrive en kommentar

Opprett konto

Det er enkelt å melde seg inn for å starte en ny konto!

Start en konto

Logg inn

Har du allerede en konto? Logg inn her.

Logg inn nå
×
×
  • Opprett ny...