Gå til innhold

Sandisk går over til 32 nm


Anbefalte innlegg

Videoannonse
Annonse

Det er per minnemodul (die) som med disse siste teknologien er på 4 eller 8 GB. I et SD-kort er det plass til åtte moduler såvidt jeg husker, altså kan man med dette få SD-kort på 64 GB og i teorien med perfekt parallellisering 62,4 MB/s overføringshastighet. For microSD-kort vil man kunne øke kapasiteten til 16 GB.

 

Det mest interessante er uansett kostnaden. 4-bit NAND ~30/32 nm koster i teorien bare en fjerdedel per GB av hva som er standard i dagens minnekort/SSD-er, nemlig 2-bit NAND ~43/45 nm. Altså kan man i likhet med fjoråret hvor flashprisen falt med 75% per GB oppleve tilsvarende for 2009.

Endret av kilik
Lenke til kommentar
Det er per minnemodul (die) som med disse siste teknologien er på 4 eller 8 GB. I et SD-kort er det plass til åtte moduler såvidt jeg husker, altså kan man med dette få SD-kort på 64 GB og i teorien med perfekt parallellisering 62,4 MB/s overføringshastighet. For microSD-kort vil man kunne øke kapasiteten til 16 GB.

 

Det mest interessante er uansett kostnaden. 4-bit NAND ~30/32 nm koster i teorien bare en fjerdedel per GB av hva som er standard i dagens minnekort/SSD-er, nemlig 2-bit NAND ~43/45 nm. Altså kan man i likhet med fjoråret hvor flashprisen falt med 75% per GB oppleve tilsvarende for 2009.

 

Er det et ytelsesløft mellom 43-45nm og 30-32nm moduler? Kan du utdupe litt mer om forskjellen mellom 2 og 4 Bits NAND minne?

En fjerdels prissenkning ville jo vert det som satte SSD skikkelig igang da. Rundt 1000 kr for en Intel X-25 80gb SSD ville hvertfall ikk jeg sagt nei til.

Lenke til kommentar

Ikke ytelsesløft i seg selv, men en forminskning gjør at hver minnemodul kan gjøres mindre/billigere og man får dermed plass til/råd til flere minnemoduler som kan kjøres i parallell (noe á la RAID0).

 

2-bit og 4-bit tilsier altså hvor mange bits man får plass til i hver minnecelle. En 2-bit MLC celle veskler mellom 4 volt-nivåer, mens 4-bit MLC veksler mellom 16 nivåer. Dette kompliserer lagringen kraftig og har sine negative sider. Jo flere bit/celle, desto lengre forsinkelse, færre overskrivinger og langt større fare for feil. Dette kan stort sett løses tilfredsstillende med en smart kontroller, men vil gi noe dårligere ytelse.

Endret av kilik
Lenke til kommentar

kilik, den nye x3 / x4 teknologien til sandisk vil ikke bare ha 8 / 16 volt nivåer og skille mellom de slik som det gjøres i dag, det er også snakk om å ha "kalibrerings-celler" i hver side eller blokk (eller begge) som vil fungere som en referanseverdi i forhold til de andre cellene i samme enhet. Dette vil i teorien tillate at det skrives på samme volt nivå eller lavere enn det som er i dagens 2-bit MLC slik at det ikke går ut over levetid, lesepressisjon, eller "data-retainment" (alså tiden cellene kan holde på data). Det vil også i teorien kunne tillate mye høyere lesehastigheter pr die enn MLC eller til og med SLC, mens skrivehastighet vil sansynligvis havne rundt MLC nivå. Latency vil være der x3 og x4 enheter må ofre for kapasiteten, da spesielt på nøyaktig skriving, og administrering av referanseceller.

Så oppsummert får vi potensielt høyere båndbredde til og fra SSDen og høyere kapasitet til lavere pris, mens latency vil bli høyere, og kontrolleren får mer å holde styr på som fører til dyrere kontrollere og mulighet for glitches de første par generasjonene.

Lenke til kommentar

Opprett en konto eller logg inn for å kommentere

Du må være et medlem for å kunne skrive en kommentar

Opprett konto

Det er enkelt å melde seg inn for å starte en ny konto!

Start en konto

Logg inn

Har du allerede en konto? Logg inn her.

Logg inn nå
  • Hvem er aktive   0 medlemmer

    • Ingen innloggede medlemmer aktive
×
×
  • Opprett ny...